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HYG090N06LS1P中文资料N-Channel Enhancement Mode MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG090N06LS1P规格书详情
描述 Description
此器件为 60V、8.1mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件可满足如PD电源等应用领域的需求
技术参数
- 制造商编号
：HYG090N06LS1P
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：62
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：9.5
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
：15.5
- PD@TC=25℃ (W)
：75
- Vgs(±V)
：20
- Vth (V)
：1~3
- Ciss Typ(pF)
：1002
- Qg Typ(nC)
：20.3
- Configuration
：Single - N
- Package
：TO-220FB-3L
- Application
：DC-DC / AC-DC同步整流
- Status
：MP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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