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HYG090N06LS1P数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG090N06LS1P

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 15:48:00

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HYG090N06LS1P规格书详情

描述 Description

此器件为 60V、8.1mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足如PD电源等应用领域的需求

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG090N06LS1P

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :62

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :9.5

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :15.5

  • PD@TC=25℃ (W)

    :75

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :1002

  • Qg Typ(nC)

    :20.3

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-220FB-3L

  • Application

    :DC-DC / AC-DC同步整流

  • Status

    :MP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HY
22+
TO-220FB-3L
895
现货库存,实单请给接受价格
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HUAYI/华羿微
25+
TO-220FB-3L
5000
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