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HYG110P04LQ2D数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG110P04LQ2D

功能描述

P MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 13:01:00

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HYG110P04LQ2D规格书详情

描述 Description

此器件为 P 沟道、-40V耐压、9.4mΩ内阻、TO-252-2L封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足负载开关、电池保护板等应用领域。

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG110P04LQ2D

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :-50

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :12

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :18

  • PD@TC=25℃ (W)

    :57.7

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :-1~-3

  • Ciss Typ(pF)

    :4468

  • Qg Typ(nC)

    :76

  • Configuration

    :Single - P

  • Package

    :TO-252-2L

  • Application

    :DC-DC / 负载开关

  • Status

    :MP

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