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HYG092N06LS1D数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG092N06LS1D

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 20:44:00

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HYG092N06LS1D规格书详情

描述 Description

此器件为60V、8.0mΩ、TO-252-2L 封装产品,采用SGT流片工艺,该器件应用在DC-DC电源,LED电源等应用领域。

特性 Features

符合RoHS标准  
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
领先的封装工艺

应用 Application

DC_DC电源板

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG092N06LS1D

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :60

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :9.8

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :75

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1.3~3

  • Ciss Typ(pF)

    :1050

  • Qg Typ(nC)

    :18

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-252-2L

  • Application

    :DC-DC

  • 同类型号

    :HYG090N06LS1D

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