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HYG092N06LS1D中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG092N06LS1D规格书详情
描述 Description
此器件为60V、8.0mΩ、TO-252-2L 封装产品，采用SGT流片工艺，该器件应用在DC-DC电源，LED电源等应用领域。
特性 Features
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
领先的封装工艺
应用 Application
DC_DC电源板
技术参数
- 制造商编号
：HYG092N06LS1D
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：60
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：9.8
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
：N/A
- PD@TC=25℃ (W)
：75
- Vgs(±V)
：20
- Vth (V)
：1.3~3
- Ciss Typ(pF)
：1050
- Qg Typ(nC)
：18
- Configuration
：Single - N
- Package
：TO-252-2L
- Application
：DC-DC
- 同类型号
：HYG090N06LS1D
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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