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HYG092N06LS1S中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG092N06LS1S规格书详情
描述 Description
此器件为60V、8.2mΩ、SOP8L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件应用在DC-DC电源，电机驱动等应用领域。
特性 Features
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
领先的封装工艺
应用 Application
DC_DC电源板，电机驱动
技术参数
- 制造商编号
：HYG092N06LS1S
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：12
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：9.8
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
：N/A
- PD@TC=25℃ (W)
：3
- Vgs(±V)
：20
- Vth (V)
：1.7~2.5
- Ciss Typ(pF)
：1020
- Qg Typ(nC)
：18
- Configuration
：Single - N
- Package
：SOP8L
- Application
：电源 / 电机驱动
- 同类型号
：HYG090N06LS1S
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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