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IRF1010EZPBF	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZPBF	文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZPBF	文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZS	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZS	文件：299.58 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1010EZS	文件：287.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1010EZSPBF	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZSPBF	文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZSTRLP	文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010N	文件：211.92 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A?? VDSS=55V RDS(on)=11mΩ ID=85A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
HS1010RJ
制造商：
Arcol
功能描述：
HS10 Al house wirewound resistor,10R 10W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市壹芯创科技有限公司	HS10120RJ	Arcol	22+		600000	原装现货支持实单	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HS1018E	HOMSEMI	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HS1018E	HOMSEMI	2022+	TO-220	2000	原厂代理终端免费提供样品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HS1018E	HOMSEMI	23+	TO-220	79999	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	HS1018E	HOMSEMI	24+	NA/	50000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	HS1018E	HOMSEMI	23+	TO-220	6800	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	HS1018E	HOMSEMI	20+	TO-220	300000	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳中芯器材有限公司	HS101EO	QH MICRO-E(乾鸿微)	22+	SOT-23-6	3500	百分之百原装现货	询价
北京三盛恒业电子有限公司	HS101RF	ARCOL	22+	N/A	2500	进口原装,优势现货	询价
北京京北通宇电子元件有限公司	HS101RF	ARCOL	24+	con	10000	查现货到京北通宇商城	询价

更多HS1010RJ供应商更新时间2025-5-15 16:10:00

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