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HN1B01FU-Y	文件：374.88 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：374.88 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01F-Y	文件：374.87 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio-Frequency General-PurposeAmplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50 V, IC = −150 mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1 mA) / hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCE 文件：374.87 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01F_07	文件：364.15 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications 文件：364.15 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01FU	文件：362.98 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：362.98 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01FU_07	文件：362.98 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：362.98 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP + NPN\nInternal Connection：Independent\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC -0.15 A \nCollector Current (Q2) IC 0.15 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
HN1B01FDW1	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN PNP 双极晶体管 The Dual NPN PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SC-74 package, which is designed for low power surface mount applications. • High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA\n• High hFE: hFE = 200-400\n• Moisture Sensitivity Level: 1\n• ESD Rating - Human Body Model: 3A - Machine Model: C\n• Pb-Free Package is Available\n• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Ch;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HN1B01FU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP + NPN\nInternal Connection：Independent\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current (Q1) IC -0.15 A \nCollector Current (Q2) IC 0.15 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
PNP + NPN
Internal Connection：
Independent
VCEO(Max)(V)：
-50
IC(Max)(A)：
-0.15
hFE(Min)：
120
hFE(Max)：
400
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.3
fT(Typ.)(MHz)：
120
VCEO (Q2)(Max)(V)：
50
IC (Q2)(Max)(A)：
0.15
hFE (Q2)(Min)：
120
hFE (Q2)(Max)：
400
VCE(sat) (Q2)(Max)(V)：
0.25
fT (Q2)(Typ.)(MHz)：
150
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-26 (SM6)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 1.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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