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HN1B01F	文件：270.58 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio-Frequency General-PurposeAmplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50 V, IC = −150 mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1 mA) / hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCE 文件：270.58 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01F	文件：374.87 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio-Frequency General-PurposeAmplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50 V, IC = −150 mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1 mA) / hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCE 文件：374.87 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01F	文件：374.88 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：374.88 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01F	文件：374.88 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：374.88 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01F	文件：364.15 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications 文件：364.15 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01FDW1T1	文件：55.59 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount Features • High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA • High hFE: hFE = 200~400 • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: 3A − Machine Model: C • Pb−F 文件：55.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HN1B01FDW1T1G	文件：55.59 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount Features • High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA • High hFE: hFE = 200~400 • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: 3A − Machine Model: C • Pb−F 文件：55.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HN1B01FDW1T1G	文件：69.2 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount Features • High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA • High hFE: hFE = 200~400 • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating ♦ Human Body Model: 3A ♦ Machine Model: C • S Prefix for Automo 文件：69.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HN1B01FU	文件：268.64 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：268.64 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01FU-GR	文件：374.88 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：374.88 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
PNP + NPN
Internal Connection：
Independent
VCEO(Max)(V)：
-50
IC(Max)(A)：
-0.15
hFE(Min)：
120
hFE(Max)：
400
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.3
fT(Typ.)(MHz)：
120
VCEO (Q2)(Max)(V)：
50
IC (Q2)(Max)(A)：
0.15
hFE (Q2)(Min)：
120
hFE (Q2)(Max)：
400
VCE(sat) (Q2)(Max)(V)：
0.25
fT (Q2)(Typ.)(MHz)：
150
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-26 (SM6)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 1.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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