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HN1B01FU	文件：268.64 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：268.64 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01FU	文件：362.98 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：362.98 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01FU-GR	文件：374.88 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：374.88 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01FU-Y	文件：374.88 Kbytes Page：6 Pages	Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO= −50V, IC = −150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFElinearity : hFE(IC= −0.1mA) / hFE(IC= −2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and high current : VCEO= 文件：374.88 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01FU_07	文件：362.98 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：362.98 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN1B01FU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP + NPN\nInternal Connection：Independent\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current (Q1) IC -0.15 A \nCollector Current (Q2) IC 0.15 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
PNP + NPN
Internal Connection：
Independent
VCEO(Max)(V)：
-50
IC(Max)(A)：
-0.15
hFE(Min)：
120
hFE(Max)：
400
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.3
fT(Typ.)(MHz)：
120
VCEO (Q2)(Max)(V)：
50
IC (Q2)(Max)(A)：
0.15
hFE (Q2)(Min)：
120
hFE (Q2)(Max)：
400
VCE(sat) (Q2)(Max)(V)：
0.25
fT (Q2)(Typ.)(MHz)：
150
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-363 (US6)
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.9
AEC-Q101：
Qualified(*)

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更多HN1B01FU供应商更新时间2025-11-30 17:35:00

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