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NGTB20N120IHLWG	文件：175.53 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco?뭦ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB20N120IHRWG	文件：182.67 Kbytes Page：10 Pages	IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB20N120IHSWG	文件：184.12 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB20N120IHWG	文件：114.7 Kbytes Page：7 Pages	IGBT-InductionCooking	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB20N120LWG	文件：178.19 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco?뭦ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SCM20N120PCT	文件：619.81 Kbytes Page：6 Pages	1200V/20mΩN-channelSiCPowerMOSFET Features Lowon-resistanceRDS(on) Bestthermalconductivityandbehavior Highspeedswitching Highrobustnessofdv/dt Lowcapacitancesandlowgatecharge Lowgateresistanceforhigh-frequencyswitching Easytoparallel HalogenFree,RoHSCompliant Applications Switchingmodepower	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
SCM20N120PS	文件：750.24 Kbytes Page：7 Pages	1200V/20mΩN-channelSiCPowerMOSFET Features Lowon-resistanceRDS(on) Bestthermalconductivityandbehavior Highspeedswitching Highrobustnessofdv/dt Lowcapacitancesandlowgatecharge Lowgateresistanceforhigh-frequencyswitching Easytoparallel HalogenFree,RoHSCompliant Applications Switchingmodepower	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
SCT20N120	文件：499.56 Kbytes Page：13 Pages	Veryhighoperatingtemperaturecapability Description ThissiliconcarbidePowerMOSFETisproducedexploitingtheadvanced,innovativepropertiesofwidebandgapmaterials.Thisresultsinunsurpassedon-resistanceperunitareaandverygoodswitchingperformancealmostindependentoftemperature.Theoutstandingthermalpropertiesof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SCT20N120AG	文件：487.52 Kbytes Page：13 Pages	Automotive-gradesiliconcarbidePowerMOSFET1200V,20A,189m廓(typ.,TJ=150째C),inanHiP247package	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SCT20N120H	文件：686.12 Kbytes Page：16 Pages	SiliconcarbidePowerMOSFET1200V,20A,189mΩ(typ.,TJ=150°C),inanH²PAK-2package Features •Verytightvariationofon-resistancevs.temperature •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=175°C) •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Lowcapacitance Applications •Solarinverters,UPS •Motordrives •HighvoltageDC-DCconverters •Switch	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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深圳市南科功率半导体有限公司	HM20N15D	NK/南科功率	2025+	DFN5X6-8L	986966	国产	询价
深圳市博中泰实业有限公司	HM20N15K-VB	VBSEMI/微碧半导体	24+	TO252	60000		询价
深圳市中联芯电子有限公司	HM20N15K-VB	VBSEMI/微碧半导体	24+	TO252	7800	全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HM20N50A	HMSEMI	23+	TO-3P	79999	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	HM20N50A	H	23+	TO-3P	6000	原装正品，支持实单	询价
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更多HM20N120T供应商更新时间2025-7-18 14:01:00

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