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IRF630	文件：5.97495 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF630	文件：106.48 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS FEATURE NchannelinaplasticTO220package. Theyareintendedforuseinhighspeedswitching, uninterruptiblepowersupply,motorcontrol,audioamplifiers, industrialactuators. DC-DC&DC-ACconvertersfortelecom,industrialand consumerenvironment. Complianc	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
IRF630	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF630	文件：620.22 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNellIRF630areN-channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors. Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandlevelofenergyinbreakdownavalanchemadeofoperation. Theyaredesignedasanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawi	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF630	文件：854.87 Kbytes Page：2 Pages	FIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF630	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF630	文件：923.6 Kbytes Page：3 Pages	N-channelTrenchMOStransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF630	文件：910.79 Kbytes Page：2 Pages	FIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF630	文件：155.57 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF630	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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产品属性

产品编号：
GS-630T
制造商：
Global Specialties
类别：
原型开发，制造品 > 无焊试验板
系列：
GS
包装：
散装
类型：
端子条（无框架）
大小 / 尺寸：
6.50" 长 x 1.38" 宽（165.1mm x 34.9mm）
描述：
BREADBRD TERM STRIP 6.50X1.38\

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	GS-630T	GlobalSpecialties	新		5	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	GS-630T	Global Specialties	2022+		1	全新原装货期两周	询价
深圳市易讯博科技有限公司	GS-630T	B&K	22+	NA	80	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	GS6333UR19D3	AME	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	GS6333UR19D3	AME	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	GS6333UR19D3	GLOBALTECH	23+	SOT-23	144000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市威雅利发展有限公司	GS6333UR19D3	AME	02+	SOT-23	6000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市旺财半导体有限公司	GS6333UR19D3	VISHAY/SILICONIX	23+	SOT-23	20000	正品原装货价格低	询价
深圳市科翼源电子有限公司	GS6333UR19D3	AME	23+	SOT-23	8500	原厂原装正品	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	GS6333UR19D3	GLOBALTECH	24+	NA/	72000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多GS-630T供应商更新时间2025-7-24 16:06:00

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