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IRF630	文件：190.54 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.25Ω ■AVALANCERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACHTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHSPEEDSWITCHING ■UNINTERRUPTIBLEPOWERSUPPLY(UPS) ■MOTORCO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630	文件：141.99 Kbytes Page：1 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET VDSS=200V,RDS(on)=0.40ohm,ID=9.0A	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
IRF630	文件：137 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ◆Dynamicdv/dtRating ◆RepetitiveAvalancheRated ◆FastSwitching ◆EaseofParalleling ◆SimpleDrive	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF630	文件：94.84 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffastswitching,loweron-resistanceandreasonablecost. TheTO-220andpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.Thedeviceissuitedforswitchmodepowersupplies,DC-ACconvert	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
IRF630	文件：336.19 Kbytes Page：14 Pages	N-channel200V-0.35廓-9ATO-220/TO-220FPMeshoverlay??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630	文件：579.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630	文件：206.32 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFN-CHANNELPOWERMOSFET Description Designedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. Features RepetitiveAvalancheRated FastSwitching EaseofParalleling SimpleDriveRequirements	DCCOM Dc Components	DCCOM
IRF630	文件：128.35 Kbytes Page：1 Pages	N-channelmosfettransistor Features •WithTO-220package •Lowon-stateandthermalresistance •Fastswitching •VDSS=200V;RDS(ON)≤0.4Ω;ID=9A •1.gate2.drain3.source	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF630	文件：176.29 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=9.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofParall	IRF International Rectifier	IRF
IRF630	文件：283.3 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
GS-630T
制造商：
Global Specialties
类别：
原型开发，制造品 > 无焊试验板
系列：
GS
包装：
散装
类型：
端子条（无框架）
大小 / 尺寸：
6.50" 长 x 1.38" 宽（165.1mm x 34.9mm）
描述：
BREADBRD TERM STRIP 6.50X1.38\

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	GS-630T	GlobalSpecialties	新		5	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	GS-630T	Global Specialties	2022+		1	全新原装货期两周	询价
深圳市易讯博科技有限公司	GS-630T	B&K	22+	NA	80	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	GS6333UR19D3	AME	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	GS6333UR19D3	AME	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	GS6333UR19D3	GLOBALTECH	23+	SOT-23	144000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市威雅利发展有限公司	GS6333UR19D3	AME	02+	SOT-23	6000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市旺财半导体有限公司	GS6333UR19D3	VISHAY/SILICONIX	23+	SOT-23	20000	正品原装货价格低	询价
深圳市科翼源电子有限公司	GS6333UR19D3	AME	23+	SOT-23	8500	原厂原装正品	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	GS6333UR19D3	GLOBALTECH	24+	NA/	72000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多GS-630T供应商更新时间2025-7-23 16:06:00

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