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GC11N65M	文件：1.01237 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GC11N65；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC11N65M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.01237 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N65MA	文件：1.28811 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GC11N65；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC11N65MA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.28811 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N65M	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N65T	文件：1.07184 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC11N65T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.07184 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
HMS11N65	文件：729.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Super Junction MOSFET 文件：729.14 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HMS11N65F	文件：721.43 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Super Junction MOSFET 文件：721.43 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
650V
Id at 25℃(max)：
11A
PD(max)：
78W
Vgs(th)typ(V)：
3.5V
RDS(on)(typ)(@10V)：
340mΩ
Qg(nC)：
21
Ciss：
768
Crss：
0.4

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更多GC11N65M供应商更新时间2025-12-2 11:06:00

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