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GC11N65T中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

GC11N65T
厂商型号

GC11N65T

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

GC11N65

封装外壳

TO-220

文件大小

1.07184 Mbytes

页面数量

6

生产厂商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企业简称

GOFORD谷峰半导体

中文名称

谷峰半导体官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2025-5-21 9:03:00

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GC11N65T规格书详情

Description

The GC11N65T uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

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