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GC11N65T	文件：1.07184 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GC11N65；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC11N65T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.07184 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N65T	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V N Channel SUPER JUNCTION MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
HMS11N65	文件：729.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Super Junction MOSFET 文件：729.14 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HMS11N65F	文件：721.43 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Super Junction MOSFET 文件：721.43 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HMS11N65I	文件：882.25 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Super Junction Power MOSFET ? 文件：882.25 Kbytes 页数：8 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

Package：
TO-220
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
650
Vgs(V)：
±30
Id(A)：
11
Pd(W)：
192
Vgs(th)max(V)：
4
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
300
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
360
Qg(nC)：
21
Qgs(nC)：
4.5
Qgd(nC)：
7
Ciss(pF)：
901
Crss(pF)：
5.5
Technology：
SUPER JUNCTION

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更多GC11N65T供应商更新时间2025-11-22 15:01:00

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