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GC10MPS12-252

Silicon Carbide Schottky Diode

FEATURES · High Avalanche (UIS) Capability · Low Thermal Resistance · Extremely Fast Switching Speeds APPLICATIONS · Boost Diode in Power Factor Correction (PFC) · Motor Drives · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Switched Mode Power Supply (SMPS)

文件:357.54 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

GC10MPS12-252

Silicon Carbide Power Schottky Diode

文件:2.40774 Mbytes 页数:7 Pages

GENESIC

GC10MPS12-252

Silicon Carbide Schottky Diode

文件:434.93 Kbytes 页数:7 Pages

GENESIC

GC10MPS12-252

Silicon Carbide Schottky Diode

文件:320.31 Kbytes 页数:7 Pages

GENESIC

GC10MPS12-252

Schottky Rectifiers

Navitas

纳微半导体

GC10MPS12-252

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2

GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

GC10MPS12-252_18

Silicon Carbide Schottky Diode

文件:434.93 Kbytes 页数:7 Pages

GENESIC

GC10MPS12-252_V01

Silicon Carbide Schottky Diode

文件:320.31 Kbytes 页数:7 Pages

GENESIC

产品属性

  • 产品编号:

    GC10MPS12-252

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    SiC Schottky MPS™

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    50A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    660pF @ 1V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252-2

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GeneSiC Semiconductor
25+
TO-252-2
9350
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GeneSiC
25+
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更多GC10MPS12-252供应商 更新时间2026-1-27 14:18:00