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GC11N70F	文件：765.67 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GC11N70；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC11N70F uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：765.67 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N70F	文件：2.47652 Mbytes Page：9 Pages	丝印：GC11N70；Package：TO-220F；Power Factor Correction (PFC) Description The GC11N70 uses advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for industry AC-DC SMPS requirement of PFC, AC/DC power conversion, and other industrial power application. Application ● Power Factor Corre 文件：2.47652 Mbytes 页数：9 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N70F	文件：300 bytes Page：1 Pages	700V N Channel SUPER JUNCTION MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N70J	文件：2.47652 Mbytes Page：9 Pages	Power Factor Correction (PFC) Description The GC11N70 uses advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for industry AC-DC SMPS requirement of PFC, AC/DC power conversion, and other industrial power application. Application ● Power Factor Corre 文件：2.47652 Mbytes 页数：9 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N70K	文件：2.47652 Mbytes Page：9 Pages	Power Factor Correction (PFC) Description The GC11N70 uses advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for industry AC-DC SMPS requirement of PFC, AC/DC power conversion, and other industrial power application. Application ● Power Factor Corre 文件：2.47652 Mbytes 页数：9 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N70T	文件：2.47652 Mbytes Page：9 Pages	Power Factor Correction (PFC) Description The GC11N70 uses advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for industry AC-DC SMPS requirement of PFC, AC/DC power conversion, and other industrial power application. Application ● Power Factor Corre 文件：2.47652 Mbytes 页数：9 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Package：
TO-220F
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
700
Vgs(V)：
±30
Id(A)：
11
Pd(W)：
31.3
Vgs(th)max(V)：
3.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
330
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
360
Qg(nC)：
21
Qgs(nC)：
4.5
Qgd(nC)：
7
Ciss(pF)：
768
Crss(pF)：
0.2
Technology：
SUPER JUNCTION

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	GC11N70F	GOFORD(谷峰)	2447	TO-220F	105000	50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	GC11N70F	GOFORD(谷峰)	20+	TO-220F-3	50		询价
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更多GC11N70F供应商更新时间2026-1-25 15:01:00

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