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GC11N65D5	文件：792.54 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GC11N65；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC11N65D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：792.54 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N65D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V N Channel SUPER JUNCTION MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC1262R/S	文件：0 bytes Page：0 Pages	世芯 TSSOP16-EP	世芯上传：深圳市钧敏科技有限公司	世芯
GC1302	文件：0 bytes Page：0 Pages	GC SOP-8	GC 上传：深圳市赛尔通科技有限公司	GC
GC13603P	文件：0 bytes Page：0 Pages	GC/格科微 TPLCC	GC/格科微上传：深圳市中联芯电子有限公司	GC/格科微

技术参数

Package：
DFN5*6-8L
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
650
Vgs(V)：
±30
Id(A)：
11
Pd(W)：
78
Vgs(th)max(V)：
4
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
330
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
360
Qg(nC)：
21
Qgs(nC)：
4.5
Qgd(nC)：
7
Ciss(pF)：
901
Crss(pF)：
5.5
Technology：
SUPER JUNCTION

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GC11N65D5供应商更新时间2025-10-7 15:01:00

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