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G35	文件：2.481 Mbytes Page：351 Pages	Express Chipset 文件：2.481 Mbytes 页数：351 Pages	Intel 英特尔	Intel
G350N06D32	文件：825.62 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G350N06D；Package：DFN3X3-8LDUAL；DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G350N06D32 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：825.62 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G350P02LLE	文件：890.23 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G350P02；Package：SOT-23-6；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G350P02LLE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：890.23 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G350P02LLEA	文件：1.08936 Mbytes Page：6 Pages	丝印：G350P02；Package：SOT-23-6；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G350P02LLEA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.08936 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G35N02K	文件：892.4 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G35N02；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G35N02K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：892.4 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G35N02S	文件：694.91 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G35N02；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G35N02S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：694.91 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G35P04D5	文件：851.92 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G35P04；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G35P04D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：851.92 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G35160	文件：30.68 Kbytes Page：2 Pages	35A HIGH VOLTAGE GLASS PASSIVATED CELL DIODE Features ● Glass Passivated Die Construction ● Low Leakage ● Low Forward Voltage ● High Surge Current Capability ● Die Size 160mil SQ 文件：30.68 Kbytes 页数：2 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
G350B-N	文件：945.03 Kbytes Page：4 Pages	Fluid chilled or hot water, up to 60 glycol 文件：945.03 Kbytes 页数：4 Pages	BELIMO	BELIMO
G353	文件：226.25 Kbytes Page：1 Pages	Multipurpose Enclosures 文件：226.25 Kbytes 页数：1 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP

晶体管资料

型号：
G35
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
射频/高频放大（HF）_静噪放大（LN）_宽频带放大
封装形式：
极限工作电压：
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0.15
wtest：
0.15

技术参数

Product Type：
Automotive High Voltage
Package Group：
Cell
Package：
C35M
IF(AV)(A)：
35
VRRM(V)：
1600
VF @ IF(V)：
1.2 @ 35A
IR @ VR(µA)：
5.0 @ 1600V
IFSM(A)：
400
Compliance：
RoHS Pb-freeHalogen-free*

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒创达实业有限公司	G3503K11U	GMT	17+	QFN	6200	100%原装正品现货	询价
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