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G35P04D5	文件：851.92 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G35P04；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G35P04D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：851.92 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G35P04D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	-40V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G3900SR2HV	文件：0 bytes Page：0 Pages	Intel FCLGA1151	Intel 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	Intel
G3CN-DX03P1-DC3/28	文件：0 bytes Page：0 Pages	OMRON 直插	OMRON 欧姆龙上传：深圳市赛奥斯科技有限公司	OMRON
G3JC	文件：0 bytes Page：0 Pages	FM/富满 SOT-23-6	FM/富满上传：深圳广友电子有限公司	FM/富满

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
-40V
Id at 25℃(max)：
-35A
PD(max)：
35W
Vgs(th)typ(V)：
-1.5V
RDS(on)(typ)(@10V)：
11mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
15mΩ
Qg(nC)：
60
Ciss：
3280
Crss：
285

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	G35P04D5		24+	N/A	63000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	G3601B11U	GMT/致新	24+	WLCSP2X2	30000	原装现货	询价
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更多G35P04D5供应商更新时间2025-10-11 11:06:00

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