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G35N02S	文件：694.91 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G35N02；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G35N02S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：694.91 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G35N02S	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
FMD35N02	文件：101.84 Kbytes Page：2 Pages	25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 文件：101.84 Kbytes 页数：2 Pages	FCI 富加宜	FCI
G35N02K	文件：892.4 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G35N02K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：892.4 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Package：
SOP-8
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
20
Vgs(V)：
±12
Id(A)：
12
Pd(W)：
2.6
Vgs(th)max(V)：
1.2
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
7
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=2.5V：
9.5
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
9
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=2.5V：
12
Qg(nC)：
18
Qgs(nC)：
2
Qgd(nC)：
6
Ciss(pF)：
1100
Crss(pF)：
215
Technology：
TRENCH

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