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G2K2P10SE	文件：809.56 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K2P10；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K2P10SEusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K3N10G	文件：961.46 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K3N10；Package：SOT-89；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K3N10Gusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K3N10H	文件：982.02 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K3N10；Package：SOT-223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K3N10Husesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K3N10HA	文件：1.22021 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G2K3N10；Package：SOT-223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K3N10HAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K3N10L6	文件：924.54 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K3N10；Package：SOT-23-6-Dual；Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K3N10L6usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K6P25K	文件：626.61 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K6P25；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K6P25Kusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K6P25T	文件：976.34 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K6P25；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K6P25Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K6P25TA	文件：1.24652 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G2K6P25；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K6P25TAusesadvancedtrenchtechnologytoprovid eexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K8P15K	文件：606.06 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K8P15；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K8P15Kusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K8P15S	文件：1.06869 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G2K8P15；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K8P15Susesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeused inawidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

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产品属性

产品编号：
G2
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 衰减器
包装：
托盘
衰减值：
34dB
封装/外壳：
TO-8 形式，4 引线
描述：
ATTENUATOR,VOLTAGE,CONTROLLED

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