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G28N02T	文件：795.24 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G28N02；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG28N02Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Application ⚫Powerswitch ⚫DC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G28N03D3	文件：713.01 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G28N03；Package：DFN3X3-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG28N03D3usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedina widevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G29	文件：490.63 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G29；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG29usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentR DS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application  Powerswitch DC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2AF	文件：1.55975 Mbytes Page：3 Pages	Marking：G2AF；Package：SMAF；Surface Mount Tension Resolution G2AF Through G2MF FEATURES ●Lowprofilepackage ●Idealforautomatedplacement ●Glasspassivatedchipjunction ●Highforwardsurgecapability ●MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
G2BF	文件：1.55975 Mbytes Page：3 Pages	Marking：G2BF；Package：SMAF；Surface Mount Tension Resolution G2AF Through G2MF FEATURES ●Lowprofilepackage ●Idealforautomatedplacement ●Glasspassivatedchipjunction ●Highforwardsurgecapability ●MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
G2DF	文件：1.55975 Mbytes Page：3 Pages	Marking：G2DF；Package：SMAF；Surface Mount Tension Resolution G2AF Through G2MF FEATURES ●Lowprofilepackage ●Idealforautomatedplacement ●Glasspassivatedchipjunction ●Highforwardsurgecapability ●MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
G2GF	文件：1.55975 Mbytes Page：3 Pages	Marking：G2GF；Package：SMAF；Surface Mount Tension Resolution G2AF Through G2MF FEATURES ●Lowprofilepackage ●Idealforautomatedplacement ●Glasspassivatedchipjunction ●Highforwardsurgecapability ●MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
G2JF	文件：1.55975 Mbytes Page：3 Pages	Marking：G2JF；Package：SMAF；Surface Mount Tension Resolution G2AF Through G2MF FEATURES ●Lowprofilepackage ●Idealforautomatedplacement ●Glasspassivatedchipjunction ●Highforwardsurgecapability ●MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
G2K2P10D3E	文件：648.9 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K2P10；Package：DFN3X3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K2P10D3Eusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2K2P10S2E	文件：834.14 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2K2P10S2；Package：SOP-8Dual；Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2K2P10S2Eusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

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产品属性

产品编号：
G2
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 衰减器
包装：
托盘
衰减值：
34dB
封装/外壳：
TO-8 形式，4 引线
描述：
ATTENUATOR,VOLTAGE,CONTROLLED

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