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FSL	文件：229.55 Kbytes Page：2 Pages	High reliability - High voltage ??Long life	ILLINOISCAPACITORIllinois Capacitor, Inc. 伊利诺斯伊利诺斯电容器股份有限公司	ILLINOISCAPACITOR
FSL05A015	文件：57.14 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES SimilartoTO-220ACCase FullyMoldedIsolation ExtremelyLowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency *HighSurgeCapability	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
FSL05N2C	文件：160.76 Kbytes Page：4 Pages	Force Sensors Series FS Non-compensated Force Range 0 to 500 g [Honeywell] ForceSensorsSeriesFSNon-compensatedForceRange0to500g	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FSL110D	文件：58.59 Kbytes Page：8 Pages	3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features •3.5A,100V,rDS(ON)=0.600Ω •TotalDose -MeetsPre-RADSpecificationsto100KRAD(Si) •SingleEvent -SafeOperatingAreaCurveforSingleEventEffects -SEEImmunityforLETof36MeV/mg/cm2withVDSupto80ofRatedBreakdownandVGSof10VOff-Bias •DoseRat	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL110D1	文件：58.59 Kbytes Page：8 Pages	3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features •3.5A,100V,rDS(ON)=0.600Ω •TotalDose -MeetsPre-RADSpecificationsto100KRAD(Si) •SingleEvent -SafeOperatingAreaCurveforSingleEventEffects -SEEImmunityforLETof36MeV/mg/cm2withVDSupto80ofRatedBreakdownandVGSof10VOff-Bias •DoseRat	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL110D3	文件：58.59 Kbytes Page：8 Pages	3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features •3.5A,100V,rDS(ON)=0.600Ω •TotalDose -MeetsPre-RADSpecificationsto100KRAD(Si) •SingleEvent -SafeOperatingAreaCurveforSingleEventEffects -SEEImmunityforLETof36MeV/mg/cm2withVDSupto80ofRatedBreakdownandVGSof10VOff-Bias •DoseRat	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL110R	文件：58.59 Kbytes Page：8 Pages	3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features •3.5A,100V,rDS(ON)=0.600Ω •TotalDose -MeetsPre-RADSpecificationsto100KRAD(Si) •SingleEvent -SafeOperatingAreaCurveforSingleEventEffects -SEEImmunityforLETof36MeV/mg/cm2withVDSupto80ofRatedBreakdownandVGSof10VOff-Bias •DoseRat	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL110R1	文件：58.59 Kbytes Page：8 Pages	3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features •3.5A,100V,rDS(ON)=0.600Ω •TotalDose -MeetsPre-RADSpecificationsto100KRAD(Si) •SingleEvent -SafeOperatingAreaCurveforSingleEventEffects -SEEImmunityforLETof36MeV/mg/cm2withVDSupto80ofRatedBreakdownandVGSof10VOff-Bias •DoseRat	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL110R3	文件：58.59 Kbytes Page：8 Pages	3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features •3.5A,100V,rDS(ON)=0.600Ω •TotalDose -MeetsPre-RADSpecificationsto100KRAD(Si) •SingleEvent -SafeOperatingAreaCurveforSingleEventEffects -SEEImmunityforLETof36MeV/mg/cm2withVDSupto80ofRatedBreakdownandVGSof10VOff-Bias •DoseRat	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL110R4	文件：58.59 Kbytes Page：8 Pages	3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features •3.5A,100V,rDS(ON)=0.600Ω •TotalDose -MeetsPre-RADSpecificationsto100KRAD(Si) •SingleEvent -SafeOperatingAreaCurveforSingleEventEffects -SEEImmunityforLETof36MeV/mg/cm2withVDSupto80ofRatedBreakdownandVGSof10VOff-Bias •DoseRat	Intersil Intersil Corporation	Intersil

详细参数

型号：
FSL
功能描述：
汽车连接器 FIN MATE 5 SEC. LOCK
RoHS：
否
制造商：
Amphenol SINE Systems
产品：
Contacts
系列：
ATP
型式：
Female
触点电镀：
Nickel

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