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FSL110D	文件：58.59 Kbytes Page：8 Pages	3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features •3.5A,100V,rDS(ON)=0.600Ω •TotalDose -MeetsPre-RADSpecificationsto100KRAD(Si) •SingleEvent -SafeOperatingAreaCurveforSingleEventEffects -SEEImmunityforLETof36MeV/mg/cm2withVDSupto80ofRatedBreakdownandVGSof10VOff-Bias •DoseRat	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL110D1	文件：58.59 Kbytes Page：8 Pages	3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features •3.5A,100V,rDS(ON)=0.600Ω •TotalDose -MeetsPre-RADSpecificationsto100KRAD(Si) •SingleEvent -SafeOperatingAreaCurveforSingleEventEffects -SEEImmunityforLETof36MeV/mg/cm2withVDSupto80ofRatedBreakdownandVGSof10VOff-Bias •DoseRat	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL110D3	文件：58.59 Kbytes Page：8 Pages	3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features •3.5A,100V,rDS(ON)=0.600Ω •TotalDose -MeetsPre-RADSpecificationsto100KRAD(Si) •SingleEvent -SafeOperatingAreaCurveforSingleEventEffects -SEEImmunityforLETof36MeV/mg/cm2withVDSupto80ofRatedBreakdownandVGSof10VOff-Bias •DoseRat	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL110R	文件：58.59 Kbytes Page：8 Pages	3.5A,100V,0.600Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Features •3.5A,100V,rDS(ON)=0.600Ω •TotalDose -MeetsPre-RADSpecificationsto100KRAD(Si) •SingleEvent -SafeOperatingAreaCurveforSingleEventEffects -SEEImmunityforLETof36MeV/mg/cm2withVDSupto80ofRatedBreakdownandVGSof10VOff-Bias •DoseRat	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSMD110	文件：143.29 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountPTCFSMDSeries	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子	DBLECTRO
FSMD110-R	文件：243.75 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountablePTCResettableFuse:FSMD1812Series	FUZETECFuzetec Technology Co., Ltd. 富致科技富致科技股份有限公司	FUZETEC
FSMD110-R	文件：465.66 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountablePTCResettableFuse:FSMD1812Series	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
FSQ110	文件：745.81 Kbytes Page：12 Pages	GreenModeFairchildPowerSwitch(FPS?? Description TheFSQ110consistsofanintegrated,current-mode,PulseWidthModulator(PWM)andanavalanche-rugged650VSenseFET.Itisspecificallydesignedforhighperformanceoff-lineSwitch-ModePowerSupplies(SMPS)withminimalexternalcomponents. Features ■InternalAvalanche-Rugged65	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FTD110B	文件：1.47355 Mbytes Page：1 Pages	MAXIMUMRATINGSANDELECTRICALCHARACTERISTICS Features Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability MechanicalData Case:OFCHeatSink Encap:EpoxySealedRatedUL94V-0 *Weight:6.5gram	FCI-CONNECTOR FCI connector	FCI-CONNECTOR
FTD110B	文件：1.47355 Mbytes Page：1 Pages	DIODETRIOWAITYPELowforwardvoltagedropHighreliability Features Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability MechanicalData Case:OFCHeatSink Encap:EpoxySealedRatedUL94V-0 *Weight:6.5gram	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI

详细参数

型号：
FSL110D
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

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