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厂商型号

FSL110D

功能描述

3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

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58.59 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

INTERSIL

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数据手册

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更新时间

2026-1-31 13:30:00

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FSL110D规格书详情

特性 Features

• 3.5A, 100V, rDS(ON) = 0.600Ω

• Total Dose

    - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)

• Single Event

    - Safe Operating Area Curve for Single Event Effects

    - SEE Immunity for LET of 36MeV/mg/cm2 with VDS up to 80 of Rated Breakdown and VGS of 10V Off-Bias

• Dose Rate

    - Typically Survives 3E9 RAD (Si)/s at 80 BVDSS

    - Typically Survives 2E12 if Current Limited to IDM

• Photo Current

    - 0.3nA Per-RAD(Si)/s Typically

• Neutron

    - Maintain Pre-RAD Specifications for 3E13 Neutrons/cm2

    - Usable to 3E14 Neutrons/cm2

产品属性

  • 型号:

    FSL110D

  • 制造商:

    INTERSIL

  • 制造商全称:

    Intersil Corporation

  • 功能描述:

    3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
24+
N/A
60000
询价
ON
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10000
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