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FQU4N50TU_WS中文资料Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 500 V, 2.6 A, 2.7 Ω, IPAK数据手册ONSEMI规格书
FQU4N50TU_WS规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•2.6A, 500V, RDS(on)= 2.7Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.3A栅极电荷低（典型值：10nC)
•低 Crss（典型值6.0pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
• 100% Avalanche Tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQU4N50TU_WS
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel QFET® MOSFET 500V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：500
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：2.6
- PD Max (W)
：45
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2700
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10
- Ciss Typ (pF)
：350
- Package Type
：IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
TO-126 |
5040 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-126 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-251 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-251 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-251 |
3300 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
7000 |
询价 | |||
ON |
2022+ |
IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
