FQU3N50C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQU3N50C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•3A, 250V, RDS(on)= 1.75Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.5A栅极电荷低（典型值：4.3nC)
•低 Crss（典型值4.8pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQU3N50C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：500
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：2.5
- PD Max (W)
：35
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10
- Ciss Typ (pF)
：280
- Package Type
：IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHI |
23+ |
TO-251 |
8560 |
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询价 | ||
VB |
25+ |
TO-251 |
5000 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-251 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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FAIRCHI |
21+ |
TO-251 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-251(IPAK) |
32322 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-251-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
NA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
FAIRC |
23+ |
TO-251(IPAK) |
7300 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
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