FQU3N60TU数据手册ONSEMI中文资料规格书
技术参数
- 型号:
FQU3N60TU
- 功能描述:
MOSFET 600V N-Channel QFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251A |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3400 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
I-PAKTO-251 |
54558 |
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询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
I-PAKTO-251 |
30000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-251(IPAK) |
43000 |
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FAI |
25+23+ |
TO251 |
72160 |
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Fairchild仙童 |
25+ |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-251 |
8866 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
IPAK |
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