FQU2N50B中文资料N 沟道 QFET® MOSFET数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性 Features

•1.6 A、500 V、RDS(on) = 5.3 Ω（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 0.8 A
•低栅极电荷（典型值 6.0 nC)
•低 Crss（典型值 4.3 pF)
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能

应用 Application

• Switched Mode Power Supplies
• Audio Amplifiers
• DC Motor Control
• Variable Switching Power Applications