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FQPF12P10	文件：631.02 Kbytes Page：8 Pages	100V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：631.02 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF12P10	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V P-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQU12P10	文件：624.66 Kbytes Page：9 Pages	100V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：624.66 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQU12P10	文件：672.06 Kbytes Page：9 Pages	100V P-Channel MOSFET 文件：672.06 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
G12P10K	文件：623.74 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G12P10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：623.74 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

详细参数

型号：
FQPF12P10
功能描述：
MOSFET 100V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQPF12P10供应商更新时间2025-10-13 15:15:00

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