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FQPF12P10	文件：631.02 Kbytes Page：8 Pages	100V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU12P10	文件：624.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU12P10	文件：672.06 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G12P10K	文件：623.74 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG12P10Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G12P10KE	文件：635.82 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG12P10KEusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G12P10TE	文件：873.94 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG12P10TEusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
HY12P10D	文件：906.68 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
KSM12P10	文件：1.82179 Mbytes Page：7 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD12P10	文件：1.46041 Mbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU12P10	文件：1.46041 Mbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
FQPF12P10
功能描述：
MOSFET 100V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQPF12P10供应商更新时间2025-7-22 9:12:00

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