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FQP15P12数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQP15P12

功能描述

功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-120 V,-15 A,0.2 Ω,DPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FQP15P12规格书详情

描述 Description

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性 Features

•-15 A、-120 V、RDS(on) = 0.2 mΩ(最大值)(VGS= -10 V、ID = -7.5 A)
•低栅极电荷(典型值 29 nC)
•低 Crss(典型值 110 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C 最大结温额定值

应用 Application

• Switched Mode Power Supplies
• Audio Amplifier
• DC Motor Control
• Variable Switching Power Applications

技术参数

  • 制造商编号

    :FQP15P12

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-120

  • VGS Max (V)

    :-4

  • VGS(th) Max (V)

    :-4

  • ID Max (A)

    :-15

  • PD Max (W)

    :100

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :200

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :29

  • Ciss Typ (pF)

    :850

  • Package Type

    :TO-220-3

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