FQP12P10数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQP12P10规格书详情
描述 Description
这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。
特性 Features
•-11.5 A、-100 V、RDS(on) = 290 mΩ(最大值)@ VGS = -10 V、ID = -5.75 A
•低栅极电荷(典型值 21 nC)
•低 Crss(典型值 65 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175℃ 最大结温额定值
应用 Application
• Audio Amplifiers
• DC/DC Converters
• DC Motor Control
技术参数
- 制造商编号
:FQP12P10
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-100
- VGS Max (V)
:-4
- VGS(th) Max (V)
:-4
- ID Max (A)
:-11.5
- PD Max (W)
:75
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:290
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:21
- Ciss Typ (pF)
:620
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD |
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