FQP12P10中文资料功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-100 V，-11.5 A，290 mΩ，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP12P10规格书详情
描述 Description
这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。
特性 Features
•-11.5 A、-100 V、RDS(on) = 290 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V、ID = -5.75 A
•低栅极电荷（典型值 21 nC)
•低 Crss（典型值 65 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175℃ 最大结温额定值
应用 Application
• Audio Amplifiers
• DC/DC Converters
• DC Motor Control
技术参数
- 制造商编号
：FQP12P10
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-100
- VGS Max (V)
：-4
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-11.5
- PD Max (W)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：290
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：21
- Ciss Typ (pF)
：620
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-220 |
9850 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
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SMD |
30000 |
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三年内 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-2203L |
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