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FQP12P10数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQP12P10

功能描述

功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-100 V,-11.5 A,290 mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FQP12P10规格书详情

描述 Description

这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。

特性 Features

•-11.5 A、-100 V、RDS(on) = 290 mΩ(最大值)@ VGS = -10 V、ID = -5.75 A
•低栅极电荷(典型值 21 nC)
•低 Crss(典型值 65 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175℃ 最大结温额定值

应用 Application

• Audio Amplifiers
• DC/DC Converters
• DC Motor Control

技术参数

  • 制造商编号

    :FQP12P10

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-100

  • VGS Max (V)

    :-4

  • VGS(th) Max (V)

    :-4

  • ID Max (A)

    :-11.5

  • PD Max (W)

    :75

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :290

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :21

  • Ciss Typ (pF)

    :620

  • Package Type

    :TO-220-3

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