FQL40N50F中文资料功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,FRFET®,500 V,40 A,110mΩ,TO-264数据手册ONSEMI规格书
FQL40N50F规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•40A, 500V, RDS(on)= 110mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 20A栅极电荷低(典型值:155nC)
•低 Crss(典型值95pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•快速恢复体二极管(最大值 250ns)
•Fast recovery body diode ( Max. 250ns )
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
技术参数
- 制造商编号
:FQL40N50F
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:500
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:40
- PD Max (W)
:460
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:110
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:155
- Ciss Typ (pF)
:5800
- Package Type
:TO-264-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
18500 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO3P |
54648 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO264 |
880000 |
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Fsc |
25+ |
SOP |
3200 |
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ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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FAIRCHILD |
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TO264 |
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FAIRCILD |
22+ |
TO247 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-264 |
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ON/安森美 |
2410+ |
TO-264 |
80000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 |