FQI7N80中文资料800V N沟道QFET®数据手册ONSEMI规格书
FQI7N80规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•6.6A，800V，RDS(on)= 1.5Ω（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 3.3A 时）
•低栅极电荷（典型值 40nC)
•低 Crss（典型值 19pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQI7N80
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：6.6
- PD Max (W)
：167
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：40
- Ciss Typ (pF)
：1420
- Package Type
：I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
02+ |
I2PAK-3/TO262 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
I2PAK-3TO262 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
FSC |
21+ |
I2PAK-3/TO262 |
50 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO262 |
1709 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-262 |
70 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO262 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO262 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-262(I2PAK) |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO262 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
