FQP12N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 600 V，12 A，650 mΩ，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP12N60C规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属工艺生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
特性 Features
•12 A、600 V、RDS(on) = 650 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 6 A
•低栅极电荷（典型值 48 nC)
•低 Crss（典型值 21 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
技术参数
- 型号：
FQP12N60C
- 功能描述：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
11928 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
11351 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FSC |
23+ |
TO-220 |
9526 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
25+ |
TO220 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
12+ |
TO-220 |
8 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCCHILD |
21+ |
TO-220 |
678 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 |
