FQN1N50C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQN1N50C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•0.38A，500V，RDS(on)= 6Ω（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 0.19A 时）
•低栅极电荷（典型值 4.9nC)
•低 Crss（典型值 4.1pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQN1N50C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：500
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：0.38
- PD Max (W)
：0.89
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：6000
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4.9
- Ciss Typ (pF)
：150
- Package Type
：TO-92-3 LF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
2000 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
ON SEMI |
/ |
N/A |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
2600 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD |
21+ |
TO-92 |
2027 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON |
22+ |
NA |
1900 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-92-3 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FSC |
23+ |
原厂原封 |
2000 |
订货1周 原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
NA |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
Fairchild |
24+ |
TO-92 |
4000 |
询价 |
