FQN1N50C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，0.38 A，6 Ω，TO-92数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•0.38A，500V，RDS(on)= 6Ω（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 0.19A 时）
•低栅极电荷（典型值 4.9nC)
•低 Crss（典型值 4.1pF)
•100% 经过雪崩击穿测试

应用 Application

• 照明

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