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FQN1N50C	文件：1.06201 Mbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQN1N50C	文件：3.60244 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel QFET MOSFET 500 V, 0.38 A, 6 Ohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQP1N50	文件：737.54 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET 500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF1N50	文件：733.58 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQU1N50	文件：606.68 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
FQN1N50C
功能描述：
MOSFET N-CH/400V/5 A/.75OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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