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FQP11P06数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQP11P06

功能描述

功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-11.4 A,175 mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 9:14:00

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FQP11P06规格书详情

描述 Description

这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越开关性能,以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合低电压应用,例如车用、DC/DC转换器和用于便携式及电池供电产品功率管理的高效开关。

特性 Features

•-11.4 A、-60 V、RDS(on) = 175 mΩ(最大值)@ VGS = -10 V、ID = -5.7 A
•低栅极电荷(典型值 13 nC)
•低 Crss(典型值 45 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175℃ 最大结温额定值

应用 Application

• DC/DC Converters
• High Efficiency Switching
• Power Management

技术参数

  • 制造商编号

    :FQP11P06

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :-4

  • VGS(th) Max (V)

    :-4

  • ID Max (A)

    :-11.4

  • PD Max (W)

    :53

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :185

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :13

  • Ciss Typ (pF)

    :420

  • Package Type

    :TO-220-3

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