FQP11P06中文资料功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-11.4 A，175 mΩ，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP11P06规格书详情
描述 Description
这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合低电压应用，例如车用、DC/DC转换器和用于便携式及电池供电产品功率管理的高效开关。
特性 Features
•-11.4 A、-60 V、RDS(on) = 175 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V、ID = -5.7 A
•低栅极电荷（典型值 13 nC)
•低 Crss（典型值 45 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175℃ 最大结温额定值
应用 Application
• DC/DC Converters
• High Efficiency Switching
• Power Management
技术参数
- 制造商编号
：FQP11P06
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-60
- VGS Max (V)
：-4
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-11.4
- PD Max (W)
：53
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：185
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：13
- Ciss Typ (pF)
：420
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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TO-220 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-220 |
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TO-220 |
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24+ |
TO-220 |
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TO-220 |
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询价 |
