FQP14N30数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQP14N30规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•14.4A, 300V, RDS(on)= 290mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 7.2A栅极电荷低(典型值:30nC)
•低 Crss(典型值23pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 其他音频与视频
技术参数
- 制造商编号
:FQP14N30
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:300
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:14.4
- PD Max (W)
:147
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:290
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:30
- Ciss Typ (pF)
:1050
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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