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FQI12N50	文件：617.23 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：617.23 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQI12N50TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRFBL12N50A	文件：123.49 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：123.49 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IXFA12N50P	文件：150.99 Kbytes Page：5 Pages	Polar Power MOSFET HiperFET Polar™ Power MOSFET HiperFET™ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：150.99 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFA12N50P	文件：332.4 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.5Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：332.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
FQI12N50
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
QFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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