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CCS-32N20-D	文件：588.92 Kbytes Page：9 Pages	FailsafeSPDTCoaxialSwitch	TELEDYNE TELEDYNE
CCS-32N20-M	文件：588.92 Kbytes Page：9 Pages	FailsafeSPDTCoaxialSwitch	TELEDYNE TELEDYNE
CCS-32N20-S	文件：588.92 Kbytes Page：9 Pages	FailsafeSPDTCoaxialSwitch	TELEDYNE TELEDYNE
CCS-32N20-T	文件：588.92 Kbytes Page：9 Pages	FailsafeSPDTCoaxialSwitch	TELEDYNE TELEDYNE
FQA32N20C	文件：895.79 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA32N20C	文件：362.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=82mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQB32N20C	文件：911.05 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI32N20C	文件：911.05 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP32N20C	文件：1.18446 Mbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF32N20C	文件：1.18446 Mbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF32N20C	文件：307.44 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET FEATURES ·DrainCurrent-ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.082Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SolarInverters ·SwitchModePowerSupplies ·DC-DCConverters ·Motordrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTA32N20T	文件：299.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTA32N20T	文件：211.86 Kbytes Page：6 Pages	TrenchTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTP32N20T	文件：211.86 Kbytes Page：6 Pages	TrenchTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTP32N20T	文件：295.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
KSM32N20C	文件：2.76246 Mbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
KSMF32N20C	文件：2.76246 Mbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
MTV32N20E	文件：298.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTV32N20E	文件：264.86 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET32AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.075OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesigna	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTW32N20E	文件：205.3 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET32AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.075OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉

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详细参数

型号：
FQI32N20CTU
功能描述：
MOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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