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FQB2N30	文件：746.5 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET Features •2.1A,300V,RDS(on)=3.7Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical3.7nC) •LowCrss(typical3.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD2N30	文件：732.82 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD2N30	文件：304.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQI2N30	文件：746.5 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET Features •2.1A,300V,RDS(on)=3.7Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical3.7nC) •LowCrss(typical3.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP2N30	文件：730.54 Kbytes Page：8 Pages	300VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF2N30	文件：742.58 Kbytes Page：8 Pages	300VN-ChannelMOSFET 300VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQU2N30	文件：732.82 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQU2N30	文件：330.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
KQB2N30	文件：62.54 Kbytes Page：2 Pages	300VN-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
KSMD2N30	文件：1.68081 Mbytes Page：8 Pages	300VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
KSMU2N30	文件：1.68081 Mbytes Page：8 Pages	300VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
UF2N30Z	文件：145.04 Kbytes Page：3 Pages	2A,300VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UF2N30ZG-TMS-T	文件：208.69 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELMOSFETARRAYFORSWITCHING	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UF2N30ZL-TMS-T	文件：208.69 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELMOSFETARRAYFORSWITCHING	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司

详细参数

型号：
FQD2N30TM
功能描述：
MOSFET N-CH/300V/1.66A/3.7OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	FQD2N30TM	FSC	2017+	TO-252	25899	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
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更多FQD2N30TM供应商更新时间2024-4-26 9:52:00

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