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FMMT491AQTA	文件：210.84 Kbytes Page：7 Pages	40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Feature • BVCEO > 40V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • RCE(sat) = 195mΩ for a low equivalent On-Resistance • 500mW Power Dissipation • hFE characterised up to 2A for high current gain hold up • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 文件：210.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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FMMT491AQTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T\u0026R	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491AQTC	文件：210.84 Kbytes Page：7 Pages	40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 文件：210.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491AQTC	文件：210.84 Kbytes Page：7 Pages	40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Feature • BVCEO > 40V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • RCE(sat) = 195mΩ for a low equivalent On-Resistance • 500mW Power Dissipation • hFE characterised up to 2A for high current gain hold up • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 文件：210.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT491ATA	文件：210.84 Kbytes Page：7 Pages	40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Feature • BVCEO > 40V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • RCE(sat) = 195mΩ for a low equivalent On-Resistance • 500mW Power Dissipation • hFE characterised up to 2A for high current gain hold up • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 文件：210.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
FMMT491AQTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

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