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FMMT411FDBW	文件：971.68 Kbytes Page：9 Pages	NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN DFN2020-3 Features 80A Peak Avalanche Current BVCBO > 80V BVCEO > 15V Specifically Designed for Low Voltage Avalanche Mode Operation Low Profile 0.62mm High Package for Thin Applications Sidewall tin plating for wettable flanks in AOI 4mm2 Footprint, 50 Smaller than SOT23 Totally Lead-Free & Fully R 文件：971.68 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT411FDBW-7	文件：971.68 Kbytes Page：9 Pages	丝印：411；NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN DFN2020-3 Features 80A Peak Avalanche Current BVCBO > 80V BVCEO > 15V Specifically Designed for Low Voltage Avalanche Mode Operation Low Profile 0.62mm High Package for Thin Applications Sidewall tin plating for wettable flanks in AOI 4mm2 Footprint, 50 Smaller than SOT23 Totally Lead-Free & Fully R 文件：971.68 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT411FDBWQ	文件：798.41 Kbytes Page：8 Pages	NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN DFN2020-3 Features - IUSB = 35A typical - BVCBO > 80V - BVCEO > 15V - Specifically Designed for Low Voltage Avalanche Mode Operation - Low Profile 0.62mm High Package for Thin Applications - Sidewall Tin Plating for Wettable Flanks in AOI - Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) - Ha 文件：798.41 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT411FDBWQ-7	文件：798.41 Kbytes Page：8 Pages	丝印：411；Package：W-DFN2020-3/SWP；NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN DFN2020-3 Features - IUSB = 35A typical - BVCBO > 80V - BVCEO > 15V - Specifically Designed for Low Voltage Avalanche Mode Operation - Low Profile 0.62mm High Package for Thin Applications - Sidewall Tin Plating for Wettable Flanks in AOI - Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) - Ha 文件：798.41 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT411FDBW	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN U-DFN2020-3 The FMMT411FDBW is a silicon planar bipolar transistor designed for operating in avalanche mode. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high on current pulses with fast edges.	Diodes 美台半导体	Diodes
FMMT411FDBWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN W-DFN2020-3 SWP The DIODESTM FMMT411FDBWQ is a silicon planar bipolar transistor designed for operating in avalanche mode. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high on current pulses with fast edges.\n\n This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent r	Diodes 美台半导体	Diodes
FMMT411FDBW-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-UDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
VCBO (V)：
80 V
ICM (A)：
60 A
PD (W)：
1.7 W
ISA (A)：
35 A
ISA(@ VC) (V)：
70 V
ISA(@ CCE) (pF)：
470 pF
hFE (min)：
100 Min
@ IC (mA)：
10 mA
fT Min (MHz)：
80 MHz
Packages：
W-DFN2020-3 (SWP) (Type A)

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	FMMT411FDBW-7	Diodes Incorporated	25+	3-UDFN 裸露焊盘	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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