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FMMT411FDBW-7分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

FMMT411FDBW-7
厂商型号

FMMT411FDBW-7

参数属性

FMMT411FDBW-7 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020

功能描述

NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN DFN2020-3

丝印标识

411

封装外壳

3-UDFN 裸露焊盘

文件大小

971.68 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-3 13:28:00

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FMMT411FDBW-7规格书详情

特性 Features

80A Peak Avalanche Current

BVCBO > 80V

BVCEO > 15V

Specifically Designed for Low Voltage Avalanche Mode Operation

Low Profile 0.62mm High Package for Thin Applications

Sidewall tin plating for wettable flanks in AOI

4mm2 Footprint, 50 Smaller than SOT23

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3)

For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities), please contact us or your local Diodes representative.

Applications

Laser Diode Drivers for Ranging and Measurement (LIDAR)

Radar Systems

Fast Edge Switch Generator

High-Speed Pulse Generators

产品属性

  • 产品编号:

    FMMT411FDBW-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    110MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-UDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    W-DFN2020-3(A 型)

  • 描述:

    SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
24+
SOT-23
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
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DIODES
23+
SOT23
63000
原装正品现货
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23+
SOT-23
50000
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ZETEX
24+
SOT-23
9080
新进库存/原装
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CJ/长电
22+
SOT-23
15240
原装正品
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长电
2016
SOT-23
45000
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NK/南科功率
2025+
SOT-23
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