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FMMT411FDBW中文资料NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN U-DFN2020-3数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
FMMT411FDBW |
参数属性 | FMMT411FDBW 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020 |
功能描述 | NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN U-DFN2020-3 |
封装外壳 | 3-UDFN 裸露焊盘 |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 9:18:00 |
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FMMT411FDBW规格书详情
描述 Description
The FMMT411FDBW is a silicon planar bipolar transistor designed for operating in avalanche mode. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high on current pulses with fast edges.
技术参数
- 产品编号:
FMMT411FDBW-7
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
100mV @ 1mA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 10mA,10V
- 频率 - 跃迁:
110MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
W-DFN2020-3(A 型)
- 描述:
SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ZETEX |
24+ |
SOT23 |
880000 |
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CJ/长电 |
22+ |
SOT-23 |
15240 |
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22500 |
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24+ |
SOT-23 |
60000 |
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SOT-23 |
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