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FMMT411FDBW数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

FMMT411FDBW

参数属性

FMMT411FDBW 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020

功能描述

NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN U-DFN2020-3

封装外壳

3-UDFN 裸露焊盘

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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FMMT411FDBW规格书详情

描述 Description

The FMMT411FDBW is a silicon planar bipolar transistor designed for operating in avalanche mode. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high on current pulses with fast edges.

技术参数

  • 产品编号:

    FMMT411FDBW-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    110MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-UDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    W-DFN2020-3(A 型)

  • 描述:

    SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020

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