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FMMT411FDBW中文资料NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN U-DFN2020-3数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
FMMT411FDBW |
| 参数属性 | FMMT411FDBW 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020 |
| 功能描述 | NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN U-DFN2020-3 |
| 封装外壳 | 3-UDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-18 23:00:00 |
| 人工找货 | FMMT411FDBW价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FMMT411FDBW规格书详情
描述 Description
The FMMT411FDBW is a silicon planar bipolar transistor designed for operating in avalanche mode. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high on current pulses with fast edges.
简介
FMMT411FDBW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Diodes制造生产的FMMT411FDBW晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
FMMT411FDBW-7
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 1mA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，10V
- 频率 - 跃迁：
110MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
W-DFN2020-3（A 型）
- 描述：
SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/ZETEX |
24+ |
NA/ |
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SOT-23 |
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ZETEX |
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SOT23 |
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ZETEX |
24+ |
SOT-23 |
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