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FMMT411FDBW分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

FMMT411FDBW

参数属性

FMMT411FDBW 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020

功能描述

NPN LOW VOLTAGE AVALANCHE TRANSISTOR IN DFN2020-3
SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020

封装外壳

3-UDFN 裸露焊盘

文件大小

971.68 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-28 23:01:00

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FMMT411FDBW规格书详情

FMMT411FDBW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的FMMT411FDBW晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

80A Peak Avalanche Current

BVCBO > 80V

BVCEO > 15V

Specifically Designed for Low Voltage Avalanche Mode Operation

Low Profile 0.62mm High Package for Thin Applications

Sidewall tin plating for wettable flanks in AOI

4mm2 Footprint, 50 Smaller than SOT23

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3)

For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities), please contact us or your local Diodes representative.

Applications

Laser Diode Drivers for Ranging and Measurement (LIDAR)

Radar Systems

Fast Edge Switch Generator

High-Speed Pulse Generators

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FMMT411FDBW-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    110MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-UDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    W-DFN2020-3(A 型)

  • 描述:

    SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020

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