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MHQ2222	文件：41.59 Kbytes Page：2 Pages	QuadDual-In-LineNPNSiliconTransistors	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
MMBT2222	文件：608.44 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●GenernalPurposeAmplifier	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMBT2222	文件：367.09 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNGeneralPurposeAmplifier P/Lead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
MMBT2222	文件：49.85 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier •Sourcedfromprocess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2222	文件：262.16 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2222	文件：100.75 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
MMBT2222	文件：60.61 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtaped	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
MMBT2222	文件：47.16 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PMBT2907A. FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Switchingandlinearamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
MMBT2222	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	NPN(GENERALPURPOSETRANSISTOR) GENERALPURPOSETRANSISTOR	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung

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