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FGL60N100	文件：264.94 Kbytes Page：3 Pages	NPT IGBT DESCRIPTION ·NPTTechnology ·HighSpeedSwitching&LowPowerLoss ·HighInputImpedance APPLICATIONS •UPS,Inverter,Welder •AC&DCmotorcontrols	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FGL60N100D	文件：438.28 Kbytes Page：6 Pages	Electrical Characteristics of IGBT GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductionandswitchingtoplanargatestructure,andalsohavewidenoiseimmunity.ThesedevicesarewellsuitableforIHapplications Features •HighSpeedSwitching •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL60N100BNTD	文件：682.03 Kbytes Page：7 Pages	NPT-Trench IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL60N100BNTD	文件：394.77 Kbytes Page：7 Pages	1000 V, 60 A NPT Trench IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL60N100BNTDTU	文件：394.77 Kbytes Page：7 Pages	1000 V, 60 A NPT Trench IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL60N100BNTD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-264-3，TO-264AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 60A 180W TO264	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGL60N100BNTDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-264-3，TO-264AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 60A 180W TO264	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGL60N100DTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-264-3，TO-264AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 60A 176W TO264	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
FGL60N100
功能描述：
IGBT 晶体管 HIGH_POWER
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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