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FGPF4536	文件：718.69 Kbytes Page：8 Pages	360V, PDP IGBT General Description Using novel trench IGBT technology, Fairchild®’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for consumer appliances, PDP TV and lighting applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low Saturation V 文件：718.69 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FGPF4536	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FGPF4536	文件：300 bytes Page：1 Pages	360V, PDP IGBT	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGPF4536JDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FGPF4536YDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FGPF4536
功能描述：
IGBT 晶体管 360V 50A 4TH GEN PDP IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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